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論文

A Positron lifetime study of defects in neutron-irradiated Si

A.Li*; H.Huang*; D.Li*; S.Zheng*; H.Du*; S.Zhu*; 岩田忠夫

Japanese Journal of Applied Physics, 32(3), p.1033 - 1038, 1993/03

https://doi.org/10.1143/JJAP.32.1033

被引用回数：8 パーセンタイル：44.68(Physics, Applied)

中性子照射したSiについて陽電子寿命測定を行い、100~800 $^{circ}$ Cにおける欠陥のアニーリングを調べた。陽電子寿命スペクトルの2成分フィッティングを行った。第1成分は完全結晶中のfreeな陽電子及びmonovacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応し、第2成分はdivacancyまたはdivacancy-substitutional oxygen complexes及びquadrivacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応するものであることを示した。2成分データをトラッピング模型によって解析し、これらのvacancy型欠陥による陽電子捕獲率(欠陥濃度に比例する)を求めた。これらの欠陥のアニーリングを議論した。

論文

Electrical conductivity of oxygen deficient urania-yttria solid solutions

大道敏彦; 竹下英文; 福島奨; 前多厚

Journal of Nuclear Materials, 151, p.90 - 94, 1987/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(87)90062-6

被引用回数：3 パーセンタイル：74.91(Materials Science, Multidisciplinary)

酸素空孔を含むf.c.c型ウラニア-イットリア固溶体の電気伝導度を室温から400 $^{circ}$ Cにわたってチッ素(99.99%up)中で測定した。約200 $^{circ}$ C以上で電気伝導度は酸化のために上昇し、温度上昇、下降時の伝導度-温度曲線に差異が見られた。伝導度の値を固溶体中のU $^{5}$ $^{+}$ に局在したホールをキャリアと仮定して、スモールポーラロンモデルで評価した。酸素空孔はキャリアの移動を防げるような作用をする。

論文

On the relation between lattice parameter and O/M ratio for uranium dioxide-trivalent rare earth oxide solid solution

大道敏彦; 福島奨; 前島厚; 渡辺斉

Journal of Nuclear Materials, 102, p.40 - 46, 1981/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(81)90544-4

被引用回数：146 パーセンタイル：99.69(Materials Science, Multidisciplinary)

UO $_{2}$ と3価希土類酸化物(RO $_{1}$ $_{.}$ $_{5}$ ,R=Y,Gd,EuおよびNd)の間の固溶体の格子定数とO/M比を調べた。U $_{1}$ $_{-}$ $_{y}$ R $_{y}$ O $_{2}$ $_{.}$ $_{0}$ $_{0}$ およびU $_{1}$ $_{-}$ $_{y}$ R $_{y}$ O $_{2}$ $_{-}$ $_{y}$ $_{/}$ $_{2}$ の2種の型の固溶体を識別した。それぞれの固溶体の格子定数挙動を蛍石型格子を形成するイオンの半径を用いて論議した。前者の型の固溶体では、U $^{4}$ $^{+}$ の酸化状態は5価であることが分った。後者の型の格子定数を解析することにより、酸素空孔の半径、r $_{o}$ $_{v}$ ,はO $^{2}$ $^{-}$ イオンの半径より約10%大きいことが判明した。このr $_{o}$ $_{v}$ とは別に酸素空孔の見かけ上の仮想的半径r $_{o}$ $^{ast}$ $_{v}$ を定義した。このr $_{o}$ $^{ast}$ $_{v}$ を用いてU $_{1}$ $_{-}$ $_{y}$ Pu $_{y}$ O $_{2}$ $_{-}$ $_{x}$ の格子定数挙動を説明した。

口頭

SR as a potential tool for depth-resolved detection of oxygen vacancies in perovskite oxides

伊藤孝; 髭本亘; 幸田章宏*; 下村浩一郎*

no journal, ,

Oxygen vacancy (V $_{rm O}$ ) is a major defect species in perovskite oxides, having a strong impact on their electrical, optical, and dielectric properties. In spite of its importance, experimental techniques that can directly detect V $_{rm O}$ are still limited. Through a series of SR measurements on oxygen-deficient SrTiO $_{3}$ , we revealed that there is a clear positive correlation between the muon spin relaxation rate and the carrier concentration, which is expected to be roughly proportional to the V $_{rm O}$ donor concentration. This, together with the variability of muon implantation depth, suggests that SR spectroscopy is potentially suitable for depth-resolved analysis of V $_{rm O}$ distribution in perovskite oxides, which is complementary to cation vacancy-sensitive techniques, such as positron annihilation spectroscopy.